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ST/意法半导体 STD1NK60T4场效应管(MOSFET) STD1NK60T4
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ST/意法半导体 STD1NK60T4场效应管(MOSFET) STD1NK60T4

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品牌：
ST/意法半导体
最少起订量：
10个
商品编码：
33445644
件装数量：
1个/件
商品规格：
STD1NK60T4
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    规格参数 商品介绍 服务保障 商品评价
    商品名称： ST/意法半导体 STD1NK60T4场效应管(MOSFET) STD1NK60T4
    品牌：ST/意法半导体
    件装数量：1个/件
    商品规格：STD1NK60T4
    包装清单：场效应管*1个
    型号： STD1NK60T4
    场效应管(MOSFET)Id-连续漏极电流：1A
    场效应管(MOSFET)Vgs-栅源极电压：30V
    场效应管(MOSFET)栅极电荷：10nC@10V
    场效应管(MOSFET)Vds-漏源极击穿电压：600V
    场效应管(MOSFET)通用封装：DPAK，TO-252-3
    场效应管(MOSFET)最大功率耗散：30W(Tc)
    场效应管(MOSFET)FET类型：1个N沟道
    场效应管(MOSFET)Vgs(th)-栅源极阈值电压：3.7V@250μA
    场效应管(MOSFET)应用等级：工业级
    场效应管(MOSFET)长*宽*高：2.63mm(高度)
    场效应管(MOSFET)Rds(On)-漏源导通电阻：8.50Ω@500mA,10V
    场效应管(MOSFET)工作温度：-55℃(TJ)~150℃(TJ)
    场效应管(MOSFET)Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容：156pF@25V

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