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Infineon/英飞凌 IRF540NPBF场效应管(MOSFET) IRF540NPBF
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Infineon/英飞凌 IRF540NPBF场效应管(MOSFET) IRF540NPBF

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品牌：
Infineon/英飞凌
最少起订量：
10个
商品编码：
33446111
件装数量：
1个/件
商品规格：
IRF540NPBF
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    规格参数 商品介绍 服务保障 商品评价
    商品名称： Infineon/英飞凌 IRF540NPBF场效应管(MOSFET) IRF540NPBF
    品牌：Infineon/英飞凌
    件装数量：1个/件
    商品规格：IRF540NPBF
    包装清单：场效应管*1个
    型号： IRF540NPBF
    场效应管(MOSFET)Id-连续漏极电流：33A
    场效应管(MOSFET)Vgs-栅源极电压：20V
    场效应管(MOSFET)栅极电荷：71nC@10V
    场效应管(MOSFET)Vds-漏源极击穿电压：100V
    场效应管(MOSFET)通用封装：TO-220AB
    场效应管(MOSFET)最大功率耗散：130W(Tc)
    场效应管(MOSFET)FET类型：1个N沟道
    场效应管(MOSFET)Vgs(th)-栅源极阈值电压：4V@250μA
    场效应管(MOSFET)应用等级：工业级
    场效应管(MOSFET)长*宽*高：19.8mm(高度)
    场效应管(MOSFET)Rds(On)-漏源导通电阻：44mΩ@16A,10V
    场效应管(MOSFET)工作温度：-55℃(TJ)~175℃(TJ)
    场效应管(MOSFET)Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容：1.96nF@25V

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