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ON/安森美 FDMS86200场效应管(MOSFET) FDMS86200
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ON/安森美 FDMS86200场效应管(MOSFET) FDMS86200

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品牌：
ON/安森美
最少起订量：
10个
商品编码：
33446274
件装数量：
1个/件
商品规格：
FDMS86200
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    规格参数 商品介绍 服务保障 商品评价
    商品名称： ON/安森美 FDMS86200场效应管(MOSFET) FDMS86200
    品牌：ON/安森美
    件装数量：1个/件
    商品规格：FDMS86200
    包装清单：场效应管*1个
    型号： FDMS86200
    场效应管(MOSFET)Id-连续漏极电流：9.6A, 35A
    场效应管(MOSFET)Vgs-栅源极电压：20V
    场效应管(MOSFET)栅极电荷：46nC@ 10V
    场效应管(MOSFET)Vds-漏源极击穿电压：150V
    场效应管(MOSFET)通用封装：D2PAK, PQFN-8
    场效应管(MOSFET)最大功率耗散：2.5W(Ta), 104W(Tc)
    场效应管(MOSFET)FET类型：1个N沟道
    场效应管(MOSFET)Vgs(th)-栅源极阈值电压：4V@ 250μA
    场效应管(MOSFET)应用等级：工业级
    场效应管(MOSFET)长*宽*高：1.1mm(高度)
    场效应管(MOSFET)Rds(On)-漏源导通电阻：18mΩ@ 9.6A,10V
    场效应管(MOSFET)工作温度：-55°C(TJ)-150°C(TJ)
    场效应管(MOSFET)Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容：2.715nF@75V

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